美光(MU.US)CEO：内存短缺需求达到历史新高

美光科技(MU.US)首席执行官桑杰·梅赫罗特拉介绍了2500亿美元的美光美国投资计划，以应对人工智能时代对内存存储的存短急剧增加的需求。这家位于博伊西的缺需求达芯片制造商表示，该投资将帮助其实现长期目标，到历即在美国生产40%的史新DRAM芯片。

梅赫罗特拉在“克拉曼倒计时”节目中指出：“当前内存的美光需求达到了前所未有的水平，内存短缺的存短情况相当严重。”美光在爱达荷州和弗吉尼亚州已有工厂，缺需求达通过在纽约州中部新建制造工厂来扩展业务。到历

在这一项目的史新首次混凝土浇筑仪式上，梅赫罗特拉强调内存是美光人工智能创新的关键，数据中心需求占比超过50%。存短他表示：“内存对人工智能至关重要，缺需求达推动了需求的到历增长，同时也提高了性能。史新”

梅赫罗特拉指出，除了数据中心，几乎所有现代技术—including智能手机、计算机和汽车—都迫切需要内存。他补充说：“如今市场对内存的需求非常强劲，它对各个领域的人工智能发展都至关重要。尤其是全自动驾驶汽车，就像移动的数据中心，需要大量的内存和存储。”

美光通过其DRAM、NAND和NOR芯片技术支持计算密集型应用和人工智能平台的进步。该公司计划向美国半导体产业投资30亿美元，以增强本土制造能力。

他进一步表示，随着技术不断推进，未来的需求只会增加，复杂系统需要更高的计算能力和内存。这将推动对内存的进一步需求。

美光预计这一投资将创造大量直接和间接的就业机会，同时促进国内芯片制造业的发展。梅赫罗特拉提到，尽管努力提升供应能力，但需求仍将持续增长，无法准确预测何时能够满足。

SK海力士CEO：2027年内存短缺最严重

SK海力士首席执行官郭鲁正(Kwak Noh-jung)在接受路透社采访时表示，2027年将是内存短缺问题“最为严重的一年”。SK海力士刚完成在美国股市的IPO，融资265亿美元。他预测内存短缺问题将持续到2030年。

他对路透社表示：“我们预计明年将是行业史上最糟糕的一年，客户需求仍将超出我们的供应能力。但我们正在尽最大努力应对这一情况。”SK集团董事长此前也曾提到，内存短缺将持续至2030年，特别是由人工智能加速器使用的HBM对DRAM的需求推动。HBM的制造工艺更加复杂，也加剧了供应紧张。

尽管这些预测可能与SK海力士的经济利益相符，但郭鲁正的言论也反映了行业现实。美光和SK海力士最近签署了多项长期供货协议，以确保未来几年的产品供应。尽管协议不会直接影响市场价格，但它们为市场需求提供了保障。

预计内存（包括NAND闪存）价格将在未来几个月保持在高位，但市场已经显现出降温迹象。根据TrendForce的报告，2026年第三季度DRAM合约价格环比上涨15%至18%，尽管增幅仍低于之前的水平。市场逐渐稳定，但这种稳定建立在高价基础之上，谁也无法预料其持续时间。

内存市场正在变化，随着人工智能的支出流动，市场动向可能迅速转变。尽管有品牌如SK海力士对市场趋势具有洞察力，但未来的变化依然难以预测。